第8章

掃描式電容顯微鏡(SCM)

1.     原理

利用接觸式原子力顯微鏡掃描試片，但是卻使用金屬探針，如此可讓探針及試片上的氧化層形成一個MIS電容(圖8-1) ，並於探針加上一交流電壓，來檢測表面層之電容變化。

2.應用

半導體試片載子濃度，不同的載子濃度將會有不同的電容變化，而且利用擷取dC/dV的數據即可分辨出不同型態的載子分布(圖8-2)，以及缺陷量測應用(圖8-3) ，對於半導體的檢測有極大的幫助。為掃描式探針顯微術最新應用之一

圖8-1掃描式電容顯微鏡之原理[1]

圖8-2 半導體之不同型態的載子分布[1]

圖8-3 半導體之缺陷量測應用[1]